技術(shù)文章
Technical articles第1步，石英管縮頸抽真空后開(kāi)始燒結(jié)縮頸，縮頸部位燒至凹陷即可Step1:SilicatubeneckingFrittheneckingafterthevacuumizinguntiltheneckingpartgetssunken第2步，裝樣裝石英柱將樣品裝入石英管，將石英柱下滑至縮頸處卡住Step2:SilicacolumnsampleloadingPutthesampleintosilicatubesａndslidethesilicacolumntotheneckingf...
等離子體是物質(zhì)的一種存在狀態(tài)，通常物質(zhì)以固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)3種狀態(tài)存在，但在一些特殊的情況下可以以第四種狀態(tài)存在，如太陽(yáng)表面的物質(zhì)和地球大氣中電離層中的物質(zhì)。這類物質(zhì)所處的狀態(tài)稱為等離子體狀態(tài)，又稱為物質(zhì)的第四態(tài)。由于等離子體中的電子、離子和自由基等活性粒子的存在，其本身很容易與固體表面發(fā)生反應(yīng)。等離子體清洗主要是依靠等離子體中活性粒子的“活化作用”達(dá)到去除物體表面污漬的目的。與濕法清洗相比，等離子清洗機(jī)的優(yōu)勢(shì)表面在以下幾個(gè)方面：1、在經(jīng)過(guò)等離子清洗之后，被清洗物體已經(jīng)很干燥，...
1.自我診斷技術(shù)自我診斷技術(shù)是在不停機(jī)或基本不拆機(jī)的情況下，通過(guò)各種檢測(cè)分析來(lái)判斷設(shè)備狀態(tài)是否正常，異?；蚬收系脑?、部位、程度以及壽命的預(yù)測(cè)。自我診斷技術(shù)的主要作用是獲得設(shè)備的結(jié)果狀態(tài)信息，即根據(jù)設(shè)備在各種工況下，表現(xiàn)出來(lái)的精度超差，零點(diǎn)漂移，內(nèi)漏等所有狀態(tài)信息的綜合分析來(lái)識(shí)別產(chǎn)品的狀態(tài)、異常類型和異常的嚴(yán)重程度，其本質(zhì)是一個(gè)包含信號(hào)采集、信息提取、信息綜合、故障識(shí)別和信息利用的過(guò)程。自我診斷的目標(biāo)是確保產(chǎn)品在功能、精度、效率和可靠性方面均能穩(wěn)定運(yùn)行2.自我診斷技術(shù)在氣體質(zhì)...
快速退火爐是現(xiàn)代大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝過(guò)程中的關(guān)鍵裝備主要用于離子注入后雜質(zhì)的激活、淺結(jié)制作、生長(zhǎng)高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金形成等工藝。隨著集成電路工藝技術(shù)的飛速發(fā)展,開(kāi)展快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)研究,對(duì)國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)和研究具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的快速退火爐裝備,有著十分重要的理論意義和工程應(yīng)用價(jià)值。本文針對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體器件退火工藝對(duì)快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)要求,在綜合分析國(guó)內(nèi)外各種快速退火爐系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)上,通過(guò)深入的分析研究,設(shè)計(jì)了系統(tǒng)總體技術(shù)方案。擬定采用燈光輻射型熱源裝置,上下兩排成正...
熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測(cè)溫范圍廣,堅(jiān)固耐用,無(wú)自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點(diǎn)。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點(diǎn)外,還具有熱容小,響應(yīng)速度快,幾乎不占用空間,對(duì)被測(cè)物體影響小的優(yōu)點(diǎn)。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺射沉積,而NiSi薄膜由電子束蒸發(fā)沉積。所制備得到的薄膜熱電偶樣片使用SEM(E...
掃描探針顯微鏡是目前一種用途廣泛的表面分析儀器,它不僅廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域,還在微納制造和微電子等的應(yīng)用研究領(lǐng)域中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。然而,目前商業(yè)化的掃描探針顯微鏡主要為單一探針的工作模式,其功能相對(duì)單一,難以實(shí)現(xiàn)一些較為復(fù)雜的實(shí)驗(yàn)及檢測(cè)功能。例如,在特殊環(huán)境下(如真空或輻射環(huán)境)的微觀磨損實(shí)驗(yàn)中,若采用單一探針模式,在完成磨損實(shí)驗(yàn)后,需要更換曲率半徑更小的針尖才能對(duì)表面磨損區(qū)域進(jìn)行原位的高分辨形貌掃描與觀測(cè)。然而,在更換針尖的過(guò)程中,微觀磨損...
針對(duì)光學(xué)和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問(wèn)題,設(shè)計(jì)了一種磁控濺射沉積系統(tǒng),系統(tǒng)包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽(yáng)極清洗裝置。主要結(jié)論有:(1)在磁控濺射靶裝置設(shè)計(jì)中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達(dá)10-6Pa;采用旋轉(zhuǎn)磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時(shí)避免了靶裝置在預(yù)先清洗時(shí)的污染;設(shè)計(jì)了靶裝置的驅(qū)動(dòng)端,完成了電機(jī)、傳動(dòng)裝置和軸承的選型。(2)設(shè)計(jì)等離子體源來(lái)改善沉積系統(tǒng)離化率不足的問(wèn)題。選擇0.2mm鎢絲...
集成電路自動(dòng)化裝備-探針臺(tái)是晶圓測(cè)試領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。由于晶圓片上晶粒很小,達(dá)到微米級(jí),所以要求探針臺(tái)要保持很高的定位精度和運(yùn)動(dòng)精度才能保證探針與晶粒的準(zhǔn)確對(duì)針和測(cè)試。因此,本文主要研究的問(wèn)題是如何保證探針臺(tái)高精密控制,從而達(dá)到微米級(jí)定位要求。本文來(lái)自于國(guó)家02專項(xiàng)-面向12”晶圓片的全自動(dòng)探針臺(tái)關(guān)鍵技術(shù)研究。首先,本文介紹了探針臺(tái)兩大部分-LOADER和PROBER的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和運(yùn)動(dòng)流程；其次,本文重點(diǎn)對(duì)預(yù)對(duì)位、Z軸升降、XY平臺(tái)三個(gè)關(guān)鍵部件的精準(zhǔn)控制進(jìn)行研究,分析影響控制精度...
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